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IGBT
JN江南·体育注册IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。IGBT多被工程师们用来进行功率变换,以提高整体的用电效率和质量,因而在电力系统的传输、变换、配送、机车牵引、工业节能及智能电路控制系统等中高压领域中较为常见,IGBT的出现也给产业解决能源短缺、降低碳排放的等问题提供了关键支撑技术之一。
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产品选型表
封装形式Package
击穿电压(BR)CES
阈值电压VGE(th)
清除所有过滤器
产品SKU
规格书
封装形式Package
击穿电压(BR)CES
集电极电流Ic
饱和电压VCE(sat)
阈值电压VGE(th)
开启电压VF
KG050Z065P1M1
TO-247-3L
650V
50A
1.6V
5.5V
1.55V
KG075Z12P1M1
TO-247-3L Plus
1200V
75A
1.6V
6V
1.75V
KG050Z12P1M1
TO-247-3L Plus
1200V
50A
1.7V
5.5V
1.8V
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